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SiS R659, máxima potencia RDRAM
El chip nace fruto de la unión de recursos de cuatro grandes del sector como SiS, ASUS, Rambus y Samsung.
Cuando SiS, Samsung, Asus y Rambus unen recursos para un objetivo, éste tiene todo los números para convertirse en un nuevo standard del mercado. Así nace el nuevo chip SiS R659 que podríamos traducir como el nacimiento de la nueva generación de chips basados en la memoria RDRAM.
El R659 es capaz de ofrecer un impresionante ancho de banda de 9,6Gbytes por segundo, gracias a los cuatro canales de 1.200 Mhz RDRAM que puede gestionar. En cifras de mercado, significa doblar la velocidad actual de los chips duales DDR, y eso sin contar con la posibilidad de mejorar el modelo para llegar a gestionar 16 Gbytes de memoria.
La unión de los cuatro fabricantes aportará al proyecto no solamente unos elevadísimos índices de experiencia en el desarrollo, sino también un importante apoyo comercial al proyecto. Prueba de ello es que ASUS ya prepara una placa demo para el tercer trimestre de este año que según su vicepresidente, cumplirá las expectativas de los usuarios que demandan junto a la alta calidad un elevado rendimiento.