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Intel fabrica el chip de memoria más denso del mundo
La circuitería de la memoria, de unos 90 nanómetros de ancho, permitirá que el próximo procesador de la firma contenga más transistores en el mismo espacio.
Intel acaba de anunciar que sus laboratorios han conseguido fabricar chips de memoria que alcanzan los 330 millones de transistores, o lo que es lo mismo, conseguir en poco más de 100 milímetros cuadrados almacenar 52 millones de bits. No estáis equivocados si pensáis que este es la memoria SRAM más densa jamás fabricada.
Para poder fabricarlos, Intel ha reducido hasta los 90 nanómetros su proceso de fabricación. Vamos, que los circuitos integrados dentro de los chips ocupan de ancho esa distancia. Para los que os preguntéis cual es la anchura actual de las memorias estáticas, deciros que hasta la fecha los 130 nanómetros eran el límite de las leyes físicas.
Hasta aquí la teoría. En la práctica Intel será capaz de hacer los procesadores todavía más pequeños que los actuales, al poder poner un mayor número de transistores en el mismo espacio que ahora. También es posible que Intel mantenga los tamaños actuales, pero aumente la capacidad de su procesador al dotarlo de un mayor número de transistores en el espacio actual.
Así no es de extrañar que Intel también haya revelado que el sucesor de su Pentium IV estará fabricado con esta nueva tecnología de 90 nanómetros. El nuevo procesador no sólo contará con un mayor número de transistores, atendiendo a las leyes de Moore, sino que la reducción de los circuitos permitirá que las puertas de entrada a los transistores pasen de los 70 nanómetros actuales a poco más de 50 nanómetros, favoreciendo la velocidad a la que estos se activan y desactivan al tener una menor anchura.